https://www.nownews.com/news/20171030/2634796
（中央社記者鍾榮峰台北30日電）三星（Samsung）傳出可能擴大動態隨機存取記憶體（DRAM）產能，市調機構集邦科技認為，這將改變DRAM市場供應吃緊局面，並為明年DRAM市況添增變數。
集邦科技表示，在市場供給持續吃緊下，今年第4季DRAM合約價可望進一步走高，將連續6季上漲；自去年中以來DRAM合約價漲幅將超過130%水準。
集邦科技指出，三星傳出有意將原訂建置儲存型快閃記憶體（NAND Flash）產線的平澤廠二樓，部分轉為以18奈米製程生產DRAM，估計明年DRAM位元產出增加幅度將由原估的18%，提高到23%水準。
對於三星可能展開擴產計畫，集邦科技認為，三星主要是希望能確保長期DRAM市場領先地位。
集邦科技預期，SK海力士（SK Hynix）與美光（Micron）不排除可能跟進展開軍備競賽，明年全球DRAM供給將成長達22.5%，成長幅度將高於今年的19.5%，將彌平市場供需缺口，並為DRAM市況添增變數。
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