https://finance.technews.tw/2017/09/27/intel-10nm-3d-nand-flash/
之前，晶片大廠英特爾 (Intel) 在中國舉行的「尖端製造大會」上，正式向大家展示了藉由最新的 10 奈米製程技術所生產的晶圓，並且表示由 10 奈米製程技術所生產的 Cannon Lake 處理器將會在 2017 年年底之前開始量產，者使得完間都引頸期待。只是，現在有消息透露，首批進入到市場的 Intel 10 奈米製程技術產品，將不會是大家期待的 CPU，而是目前市場價格高漲的 NAND Flash 快閃記憶體。
根據業界人士透露，Intel 計劃在自家最新的 64 層 3D NAND Flash 快閃記憶體上使用最新的 10 奈米製程技術。至於，為何在 3D NAND Flash 快閃記憶體上首先使用新製程技社，很可能是因為 NAND Flash 快閃記憶體的結構相對簡單，基本上就是大量同類電晶體的堆積。相較之下，CPU 處理器的架構就顯得複雜多了。而就由使用新製程技術來生產，複雜性也是關係成功與否的重要風險之一，而這也是 Intel 在 14 奈米製程、10 奈米製程上屢屢延後推出的一項主要因素。
而依照 Intel 的說法，10 奈米製程技術使用了 FinFET (鰭式場效應電晶體)、Hyper Scaling (超縮微) 技術，可將電晶體密度提升 2.7 倍，結果自然可以大大縮小晶片面積，對 NAND Flash 快閃記憶體的設計來說，當然就能極大地提升容量。
不過，目前還不清楚 Intel 的 10 奈米製程 NAND Flash 快閃記憶體的具體生產情況為何，但是可以確認的是，未來該批產品將會首先運用於資料中心的市場，等成本下降之後，再推廣到消費等級市場領域。
(首圖來源:Flickr/stargazer2020 CC BY 2.0)
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